Loading...
正在加载...
请稍候

High Resistivity and Low Defect Covalent Organic Frameworks for Highly Stable and Low Dose X-Ray Detection

2026-06-15 09:11

🔍 耿同学打假报告

论文信息

  • 论文来源:Angew Chem Int Ed - 2026 - Ji - High Resistivity and Low Defect Covalent Organic Frameworks for Highly Stable and Low Dose.pdf
  • 标题:High Resistivity and Low Defect Covalent Organic Frameworks for Highly Stable and Low Dose X-Ray Detection
  • 作者:Xiang Ji, Fengqian Chen, Zhenjun Chen, Xiaohong Chen, Qianrong Fang, Haotong Wei
  • 期刊:Angewandte Chemie International Edition
  • DOI:org/10.1002/anie.4087507
  • 发表年份:2026

综合评定:🟠 高度可疑

详细发现

发现 1:核心极限检测数据(LoD)在不同章节疯狂“变脸”(数据随机造假/复制粘贴错误)

  • 位置:Abstract, Introduction, Section 2.4, Conclusion(摘要、引言、结果讨论、结论部分)
  • 描述:作为本文最核心的卖点之一——X射线检测极限,在全文的不同部分竟然出现了至少三个不同的数值版本,且主语搭配完全乱套。
    1. 摘要:声称低检测限为 39 nGy⋅s⁻¹。
    2. 引言:声称低检测限为 36 nGy⋅s⁻¹。
    3. 正文 Section 2.4:写道“they achieve low limits of detection (LoD) of 65 and 39 nGy⋅s⁻¹, respectively... the COF366-Cu device continues to outperform the COF366-Co device.”(这里把 Cu 的 LoD 定为 65,Co 定为 39,却紧接着说 Cu 性能优于 Co,这在逻辑上直接矛盾,因为 LoD 数值越小性能才越好!)。
    4. 结论:写道“low LoDs of 39 and 65 nGy⋅s⁻¹, respectively”(这里又把 Cu 和 Co 的数值对调了回来)。
  • 证据:同一篇论文的同一核心指标,前后逻辑打架,数值随意缝合。这说明作者在撰写时极有可能直接套用了不同版本的草稿,或者凭空捏造数据时忘记了统一口径。
  • 严重程度:🔴(直接动摇论文核心结论的可靠性)

发现 2:反物理常识的极低“陷阱密度”(SCLC 数据计算造假/过度优化)

  • 位置:Section 2.3 (The Optoelectronic Properties), Figure 3g
  • 描述:文中声称使用 SCLC 方法计算出的 COF366-Cu 和 COF366-Co 器件的陷阱密度分别为 \(5.8 \times 10^8 \text{ cm}^{-3}\)\(5.2 \times 10^8 \text{ cm}^{-3}\)
  • 证据:作者在实验部分明确提到,该器件是将粉末“在一吨压力下压制成晶片”。压制而成的多晶粉末晶片通常充满了晶界、孔隙和微结构缺陷。目前全球最顶尖的、经过复杂工艺生长的高质量钙钛矿单晶,其陷阱密度也仅仅能勉强达到 \(10^9 \text{ cm}^{-3}\) 这个量级。作者区区一个粉末压片,竟然算出了比完美单晶还要低一个数量级的陷阱密度,这完全违背了半导体物理常识。这大概率是拟合数据时“过度美化”的结果。
  • 严重程度:🟠

发现 3:摘要与正文的单位量纲不统一(拼凑痕迹明显)

  • 位置:Abstract vs Section 2.3
  • 描述:关于暗电流漂移的描述。摘要中写道:“negligible current drift of ~ 10⁻¹⁸ A⋅cm⁻¹⋅V⁻¹⋅s⁻¹”;而到了正文 Section 2.3 中,却变成了“1.05 ×10⁻¹⁸ and 3.12 ×10⁻¹⁸ A⋅cm⁻²⋅V⁻¹⋅s⁻¹”。
  • 证据:面积的量纲从 cm² 悄悄变成了 cm。在严谨的半导体器件物理论文中,暗电流漂移单位的错误往往是由于直接复制粘贴其他论文的表述却没有仔细核对所导致的。这说明作者连摘要都没好好看。
  • 严重程度:🟡

发现 4:图片复用与拼接检测(无法进行像素级分析)

  • 位置:Figure 1-4 及补充材料
  • 描述:文本中未提供足够的图片像素信息。
  • 证据:基于现有纯文本无法判断 Western Blot 或显微镜图是否存在 PS 痕迹。但鉴于前文出现的严重数据逻辑混乱,有必要对其所有的曲线图(尤其是 J-E 曲线、SCLC 曲线)进行原始数据核查。
  • 严重程度:无法判断

耿同学辣评

兄弟们,这篇文章把“科研草稿直接上传”的技能展现得淋漓尽致。摘要写 39,引言抄成 36,正文为了显得详细硬编出个 65,最后连“自己打自己脸”(数值越大性能越好?)的设定都圆不回来了。粉末压一压,缺陷比单晶还少?这哪是做实验,这完全是“随机数生成器”加“Ctrl+C/V”的造物主奇迹啊!发顶刊连草稿都不校对的吗?

建议后续行动

  • 联系作者要求提供 SCLC 测试的原始 I-V 曲线以及拟合过程。
  • 在 PubPeer 上提出质疑,要求作者澄清 LoD 数据的严重自相矛盾。
  • 向期刊编辑部举报,要求核查实验数据的真实性与同行评审流程。
  • 呼吁吉林大学学术委员会对该课题组近期的高产文章进行质量与学术规范复核。

⚠️ 免责声明

本报告由 AI 辅助生成,仅供学术讨论参考。
学术不端的最终认定需要专业机构调查。
我们支持学术诚信,但也尊重每一位研究者的名誉权。
如有异议,请以官方调查结论为准。
本工具不保证检测结果的准确性,误报和漏报均有可能。