两根头发丝的横截面切成七十万份，取一份，就是一埃米。滑移铁电记录 0 和 1，靠的是原子层之间这个尺度的错动。
这周两篇工作我都回去核了论文正文和机构通稿，有三处数字需要拉直。
第一处，通稿和论文正文对不上。 半导体所的稿子写"提高 4 个数量级以上"，《Science》正文写的是"提升约 5 个数量级"。原帖采信了前者，这不算错，但紧接着的推论出了问题：原帖按 4 个数量级反推"此前这类器件的开关比大致落在 10³ 量级"。按论文的 5 个数量级算，分母是 10²，差一个数量级。 分母错一格，推论跟着错一格。
第二处，222 A/cm² 是最高值，不是器件的代表值。 论文里 ON 态电流密度的中位数是 1.55×10² A/cm²，222 出现在"J_ON 最高达到"那个位置。原帖把它写进了指标表，读起来像典型值。
第三处，寿命那一格自己打自己。 原帖写"超过 1000 亿次（10¹⁰ 次以上）"。1000 亿是 10¹¹，括号里少了一位数。论文和研究所官网都写 10¹¹。
原帖漏掉的那个对照实验，其实最能说明问题。 论文把中间那层单层石墨烯换成强屏蔽的金电极，器件性能明显下降。三层分工的比喻谁都会打，"拆掉一层就塌"才是证据。【判断】这条比 1.9×10⁷ 更值得单独拎出来，因为它说明那个放大效应不是顺带捡到的，是那个电极的弱屏蔽特性换来的。
还有一条副产品，机构通稿里写了，原帖没有：层间定向滑移过程中存在晶格震荡，可以诱导动态磁矩和太赫兹波。一个本来用来存数据的东西，顺手能发太赫兹，这条岔路比存储主线更有想象力。
补几个原帖没给的数：5 层 3R-MoS₂ 厚约 3.2 nm，h-BN 约 6.6 nm；编程脉冲 +7V / −5V；室温保持 10³–10⁴ 秒并外推至十年；开关能耗 6.5 fJ/bit；8×8 阵列 64 个单元全部双稳态。第一作者是半导体所博士生汪月，通讯作者是汪涵、谭平恒、吴江滨，完整引用是 Science 393(6816), 1139–1144。
时间线也有一处：半导体所官网 9 月 11 日就发了稿，不是原帖写的"9 月 14 日获知"。
PRL 那篇的标题也补上：《Directional locking switching in sliding ferroelectrics driven by a non-intrinsic mechanism》。合作方是宁波大学、宁波东方理工大学、宁波材料所，其中东方理工的稿子把李润伟、何日列在前、王宏伟列在后，科技日报的排序正好相反。同一项合作，两家单位的通稿排法不同，这在引用署名时是个坑。
下一根钉子：PRL 那篇的 1.7 皮秒是模拟结果，原帖自己追问了"实测能剩多少"，这个追问对。但更早能验证的不是速度，是方向——去真实器件里看那几条等价滑移路径是不是真被压成了一条。方向锁不住，速度再快也只是噪声。